三星官方今天宣布，其位于韓國平澤市的第二條存儲芯片生產(chǎn)線(占地超 12.89 萬平方米)已經(jīng)開始量產(chǎn)用于移動設備的新一代 16Gb LPDDR5 內(nèi)存芯片。

全新的 16Gb LPDDR5 內(nèi)存芯片基于三星 10nm EUV 工藝打造，官方稱是首款使用 EUV 技術進行批量生產(chǎn)的內(nèi)存，封裝厚度降低 30%，可以更好地整合到一些需要輕薄設計的機型(如折疊屏手機)中。

并且 16Gb LPDDR5 內(nèi)存芯片封裝為 16GB 內(nèi)存僅需要 8 顆芯片，相比之下前代產(chǎn)品需要封裝 8 顆 12Gb、4 顆 8Gb 共 12 顆芯片。

性能方面，新款內(nèi)存的帶寬來到了 6400Mbps，相比目前旗艦機上所采用的 12Gb LPDDR5-5500 內(nèi)存速度提升 16%，一秒內(nèi)可傳輸 51.2GB 的數(shù)據(jù)。

三星官方稱，該內(nèi)存芯片將會搭載于 2021 年的旗艦手機上，而除了手機等移動設備外，三星也計劃將 LPDDR5 內(nèi)存推廣到汽車所搭載的車機設備上。